Ионные источники с фокусировкой ионного пучка

Для решения технологических задач могут потребоваться различные профили ионного тока в пучке. Например, для очистки и активации поверхности, где нужна максимальная зона обработки, подойдет традиционная кольцевая форма пучка. Однако, для локальной коррекции ошибок профиля поверхности оптических деталей необходим ионный пучок небольшого диаметра с гауссовым распределением плотности ионного тока по радиусу. Кроме того, при обработке в одной и той же установке деталей разного размера, или количества может потребоваться увеличение, или уменьшение зоны обработки. Для решения таких задач идеально подходят ионные источники ИИ-100К и ИИ-200К, оснащенные системой фокусировки ионного пучка. Конструкция этих источников позволят оперативно изменять форму профиля плотности ионного тока в пучке от кольцевой до гауссовой.

Технические характеристики

ИИ-100 ИИ-200
Диаметр канала, мм 100 200
Ширина канала, мм 5 5
Фокусное расстояние, мм 400 / в соответствии с ТЗ 400 / в соответствии с ТЗ
Диаметр зоны обработки на расстоянии 400 мм от ионного источника От 30 мм до 150 мм От 50 мм до 250 мм
Напряжение разряда, В до 3500 до 3500
Ток разряда, мА до 150 до 250
Ионный ток пучка, мА до 135 до 225
Массовый КПД 0,08 0,06
Средняя энергия ионов, эВ до 2500 до 2500
Посадочный фланец Внутрикамерный / DN 160 ISO-F / по чертежу заказчика Внутрикамерный /DN 250 ISO-F / по чертежу заказчика
Расход охлаждающей воды, л/мин 0,375 0,625