Ионные источники с фокусировкой ионного пучка
Для решения технологических задач могут потребоваться различные профили ионного тока в пучке. Например, для очистки и активации поверхности, где нужна максимальная зона обработки, подойдёт традиционная кольцевая форма пучка. Однако, для локальной коррекции ошибок профиля поверхности оптических деталей необходим ионный пучок небольшого диаметра с гауссовым распределением плотности ионного тока по радиусу. Кроме того, при обработке в одной и той же установке деталей разного размера или количества может потребоваться увеличение, или уменьшение зоны обработки. Для решения таких задач были разработаны ионные источники ИИ-100К и ИИ-200К, оснащённые запатентованной системой фокусировки ионного пучка. Конструкция этих источников позволят изменить форму профиля плотности ионного тока в пучке от кольцевой до гауссовой.
Технические характеристики
ИИ-100К | ИИ-200К | |
Диаметр канала, мм | 100 | 200 |
Фокусное расстояние, мм | 400 / в соответствии с ТЗ | 400 / в соответствии с ТЗ |
Диаметр зоны обработки на расстоянии 400 мм от ионного источника | От 30 мм до 70 мм | От 50 мм до 100 мм |
Напряжение разряда, В | до 3500 | до 3500 |
Ток разряда, мА | до 150 | до 250 |
Ионный ток пучка, мА | до 135 | до 225 |
Средняя энергия ионов, эВ | до 2500 | до 2500 |
Посадочный фланец | Внутрикамерный / DN160 ISO-F / по чертежу заказчика | Внутрикамерный / DN250 ISO-F / по чертежу заказчика |
Расход охлаждающей воды, л/мин | 3 | 5 |