Ионные источники с фокусировкой ионного пучка

Для решения технологических задач могут потребоваться различные профили ионного тока в пучке. Например, для очистки и активации поверхности, где нужна максимальная зона обработки, подойдёт традиционная кольцевая форма пучка. Однако, для локальной коррекции ошибок профиля поверхности оптических деталей необходим ионный пучок небольшого диаметра с гауссовым распределением плотности ионного тока по радиусу. Кроме того, при обработке в одной и той же установке деталей разного размера или количества может потребоваться увеличение, или уменьшение зоны обработки. Для решения таких задач были разработаны ионные источники ИИ-100К и ИИ-200К, оснащённые запатентованной системой фокусировки ионного пучка. Конструкция этих источников позволят изменить форму профиля плотности ионного тока в пучке от кольцевой до гауссовой.

Технические характеристики

ИИ-100К ИИ-200К
Диаметр канала, мм 100 200
Фокусное расстояние, мм 400 / в соответствии с ТЗ 400 / в соответствии с ТЗ
Диаметр зоны обработки на расстоянии 400 мм от ионного источника От 30 мм до 70 мм От 50 мм до 100 мм
Напряжение разряда, В до 3500 до 3500
Ток разряда, мА до 150 до 250
Ионный ток пучка, мА до 135 до 225
Средняя энергия ионов, эВ до 2500 до 2500
Посадочный фланец Внутрикамерный / DN160 ISO-F / по чертежу заказчика Внутрикамерный / DN250 ISO-F / по чертежу заказчика
Расход охлаждающей воды, л/мин 3 5